正式落户西安！中德第三代半导体材料项目举行签约
12月16日，西安西咸新区泾河新城举行外资招商项目集中签约仪式。中德第三代半导体材料联合研究院等四个项目签约落户西安泾河新城。
据西咸新区官方消息，中德第三代半导体材料项目是由留德人员发起，联合欧盟第三代半导体实验室和西北工业大学理学院、南京大学微电子学院、西安电子科技大学等国内外研究机构和知名专家，研发团队的技术水平为国际领先，可以较高成功率稳定产出4英寸和6英寸SiC单晶晶圆，未来该技术发展方向为大尺寸SiC单晶制备生产批量成熟技术和前沿半导体技术。该成果可广泛应用于新能源车、太阳能风能、电力电子、高铁、电源、雷达、5G通信、航空航天、机器人等高精尖领域。
在国家发展改革委公布的*一批国家战略性新兴产业集群名单，西安市集成电路产业集群入列。据西安日报此前报道，目前，西安市集成电路产业已进入国家“*一梯队”，拥有设计、晶圆制造、封装、测试完整的产业链。在西安2019年《政府工作报告》中，今年重点工作任务包括实施集成电路等重大产业化工程，集中力量突破关键核心技术，推进制造业高质量发展，聚力构建具有竞争力的现代产业体系。
电子发烧友网报道（文/黄山明）6月1日零时一过，沉寂了两个月之久的上海重新启动，交通恢复正常，门店重....
通过解决测试时间减少ASIC设计中的DFT占用空间
在本文中，我们检查了扫描压缩确实有助于减少 ASIC 设计中的测试时间 （DFT），但扫描通道减....
从另一个维度深入探讨充电桩设计
PFC控制软件的总体架构如图2所示。该设计的核心是Xilinx的Zynq 7000 SoC，它包含A....
第三代半导体制造材料碳化硅性能优势突出
半导体材料市场空间广阔，制造材料销售额占比不断提高。全球半导体材料销售额规模不断上升，2015 年至....
你知道怎么构建芯片可靠性模型吗？
然而，人工智能、机器学习、数字孪生体等新兴技术的发展，将会进一步改善晶圆厂封装协调、快速识别良率问题....
手动探针台的工作原理及应用范围
手动探针台是广泛应用于半导体行业的综合经济型测试仪器，主要用于半导体芯片的电参数检测。
半导体企业华微电子发布2022*一季度报告
半导体企业吉林华微电子股份有限公司发布2022*一季度报告，具体内容如下。 一、 主要财务数据 （一....
惚恍微发布Spot dToF系统，为国内首发
近日，惚恍微发布自研的Spot dToF（散斑直接飞行时间）系统，为国内首发。 Spot dToF是....
伟测半导体成功过会！募集6亿元扩充高端产能，服务紫光展锐、兆易创新等大厂
电子发烧友网报道（文/刘静）5月26日，科创板上市委发布2022年第43次审议会议结果公告。公告显示....
供应链危机导致全球汽车制造商损失超5000亿美元
在过去两年中，有关供应链问题和半导体短缺的新闻层出不穷，许多汽车制造商曾因此而宣布停产并遭受了损失。....
Socionext低功耗HD-PLC通信芯片于2022年第三季度开始量产
SoC设计与应用技术领导厂商Socionext Inc.（以下“Socionext”）宣布，基于IE....
InGaP层去除GaAs外延盖层的选择性湿法蚀刻工艺
半导体器件的制造工程已使光电仪器、激光二极管和无线通信设备以及许多其他现代设备成为可能。从巴丁、布里....
中国集成电路产业人才白皮书（2017-2021）
我国集成电路产业继续保持高速增长的势头。中国半导体行业协会统计数据显示，2021年中国集成电路产业销....
睿感半导体推出APCI一体式环境组合传感器
近日，睿感(济南)半导体有限公司(ScioSense)宣布，可精确检测空气质量的*新产品——APC1....
通过一体式蚀刻工艺来减少通孔的缺陷
引言 本研究针对12英寸晶圆厂近期技术开发过程中后端一体化(AIO)蚀刻工艺导致的图案失效缺陷。AI....
湿法清洗过程中的颗粒沉积和去除研究
摘要 溶液中晶片表面的颗粒沉积。然而，粒子沉积和清除机制液体。在高离子中观察到*大的粒子沉积:本文将....
半导体供应链放缓和更智能数据共享的需求
当然，还有一种替代 Athnia 方法的方法：单独创建数据基础。Athnia 领导层估计，这将需....
华进半导体获“2021年度区科技创新贡献奖”
2022年5月30日，无锡高新区（新吴区）召开全区人才工作暨科技创新大会，华进半导体荣获“2021年....
用于汽车负载应用的高侧SmartFET驱动器
onsemi现在提供一系列从 45 mΩ 到 160 mΩ的高端 SmartFET 。这些器件是受保....
22nm互连的光刻蚀刻后残留去除的挑战和新方法
本文描述了我们华林科纳研究去除金属硬掩模蚀刻后光致抗蚀剂去除和低k蚀刻后残留物去除的关键挑战并概述了....
蚀刻硅晶片和(PE)CVD腔室清洗的生命周期环境影响
半导体和光伏产业使用氟化气体来蚀刻硅晶片和(PE)CVD室清洁，期望的结果是由于F原子和其他活性物质....
交流 C-V 测试可以揭示材料的氧化层厚度，晶圆工艺的界面陷阱密度，掺杂浓度，掺杂分布以及载流子寿命....
一种简化数据和改进控制的高性能方法
每当需要将父 loT 分解为 50 个或更多子事务时，高性能方法都表现出色，因为它使用批量而不是....
蒸汽相氟化氢对晶片清洗和氧化物刻蚀的表征
半导体设备技术和工艺控制的不断进步，加上制造亚微米尺寸器件对衬底清洁度提出的更严格要求，重新引起了人....
罕见！三星和Intel欲达成合作，双方高层展开会晤
日前，三星方面称，三星和Intel就半导体领域合作一事展开了会晤，分别由三星副董事长李在镕和Inte....
西门子与GlobalFoundries合作提供可信硅光子验证
硅光子学使公司能够将光纤直接引入集成电路。然而，硅光子器件包含弯曲布局，而不是传统 CMOS 设....
半导体零部件主要分类与产业主要特点
按照半导体零部件的主要材料和使用功能来分，可以将其分为十二大类，包括硅/碳化硅件、石英件、陶瓷件、金....
美国半导体业界眼中的挑战与机遇
电子发烧友网报道(文/周凯扬)在美国政府极力推动芯片法案下，美国的半导体生产制造业似乎已经收获了一定....
使用全湿法去除Cu BEOL中的光刻胶和BARC
这项研究首先集中于去除直接沉积在硅衬底上的193纳米厚的光刻胶和BARC层，使用傅里叶变换红外光谱(....
安谋科技与合作伙伴构建产业生态战略定位
安谋科技联席CEO刘仁辰首先阐述了安谋科技立足于支持中国半导体产业可持续发展的理念以及协同客户构建产....
晶圆表面的洁净度对半导体工艺的影响 如何确保晶圆表面无污染残留
晶圆表面的洁净度会影响后续半导体工艺及产品的合格率，甚至在所有产额损失中，高达50%是源自于晶圆表面....
PUF技术成为密码学中*好的保护之一
Maxim Integrated 推出了一种名为ChipDNA的 PUF 技术实施方案。它不像我....
图解SK海力士半导体生产全过程 看半导体制造如何点沙成金
近几十年来，以新发展起来的第 3 代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借....
四探针法通常用来测量半导体的电阻率。四探针法测量电阻率有个非常大的优点，它不需要较准；有时用其它方法....
智芯传感发力电子雷管市场助力行业发展
当前，受益于国家政策利好，中国电子雷管渗透率和商业化步伐加速提升，新的风口正在形成，百亿级市场或将迎....
贸泽在线服务与工具以及帮助中心 助你轻松找到所需资源
2022年5月26日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电....
实现高效交流电机驱动系统设计的技巧
MAX22700和MAX22702的低边驱动器的*大 R DSON为1.25Ω ；MAX22701 ....
晶圆尺寸从300毫米过渡到450毫米的技术挑战
随着技术复杂性在亚20nm节点上的加速，半导体制造成本已经快速增加，晶圆尺寸从300毫米过渡到450....
安谋科技纷争尘埃落定 “独立公司”定位不变 本土半导体产业基石更稳
过去两年里，围绕安谋科技在管理上产生的纷争屡屡成为行业和媒体热议的焦点。但相比于管理层权力更迭事件本....
首尔伟傲世Violeds（UVCLED）技术可实现高效杀菌
突如其来的疫情催化了UV LED行业的发展。数据显示，2019年全球UV LED市场规模达2.69亿....
半导体工业中表面处理和预清洗的重要性
半导体工业中表面处理和预清洗的重要性是众所周知的。为了确保良好的薄膜粘附和金属-半导体接触的低电阻，....
NI推出DataStudio软件，打破从设计到测试的数据壁垒 新产品可以轻松连接整个工作流程中的数据
2022年5月25日—NI（纳斯达克：NATI）在时隔两年再次回归线下的全球用户大会上推出DataS....
准费米能级相空间及其在双极型二维场效应晶体管中的应用
随着晶体管技术逐渐迈向后摩尔时代，越来越多的新材料与新器件对半导体器件的理论建模提出了新的需求和挑战....
将终端用户设备连接到中央电信网络和云的无线接入网（RAN）和相关的核心网络层次结构，对于构建无处不在....
西班牙预计投资122.5亿欧元研发半导体技术
据外媒路透社日前报道，西班牙政府到2027年之前将投入122.5亿欧元到半导体及微型芯片行业当中去。....
晶片表面沉积氮化硅颗粒的沉积技术
评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。....
三星未来5年将投入450万韩元研发半导体、生物制药等先进技术
日前，据外媒报道称，三星计划对半导体、生物制药等先进技术在未来5年内投资450万亿韩元（折合人民币约....
芯片一级供应商的起点和新加坡半导体的崛起
新加坡曾经是全球半导体工业的中心，这是一个见证，也是一声叹气。新加坡的半导体工业现已走了从迅速崛起到....
半导体制冷片控制板开发技术用到的功能模块有哪些？
半导体制冷片控制板开发技术需要用到的功能模块有哪些？有知道的朋友吗？展开讲讲？ ...
从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温...
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具...
半导体激光焊锡电源相关资料下载
半导体激光焊锡电源 连续直接输出激光器 高功率高精度电源直接半导体激光器输出功率涵盖10W至500W，具有更高的电光转换效率，输...
大功率半导体激光电源的作用有哪些
大功率半导体激光电源 输出功率涵盖10W至500W，具有更高的电光转换效率半导体直接输出激光器介绍直接半导体激光器输出功率涵盖...
无源组件与有源元件及机电组件的功能区别
无源组件不能放大信号，并且它们不会产生机械运动。有源元件可以放大信号。机电组件将电能转换为机械运动，将机械运动转换为电能...
半导体直接输出激光器介绍研制的直接半导体激光器输出功率涵盖10W至500W，具有更高的电光转换效率，输出功率稳定。200W以下的...
LDO稳压器通常是任何给定系统中成本*低的元件之一，但从成本/效益角度来说，它往往是*有价值的元件之一。除了输出电压...
vim从入门到精通--基础命令使用 ...
一、正确理解DC/DC转换器：DC/DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC转换器分为三类：...
NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平
86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门，占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容，输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何，当施加高达7.0伏的电压时，NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速：t PD = 3.1 ns（典型值）V CC = 5.0 V 低功耗：I CC =1μA（Max），TA = 25°C TTL兼容输入：V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
NLU1G86 单路2输入异或门
6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门，占用空间极小。无论电源电压如何，当施加高达7.0伏的电压时，NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速：t PD = 3.5 ns（典型值）VCC = 5.0 V 低功耗：I CC =1μA（Max），TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差（OVT）输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
NLU1G32 单路2输入或门
2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门，占用空间极小。无论电源电压如何，当施加高达7.0伏的电压时，NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速：t PD = 3.7 ns（典型值）VCC = 5.0 V 低功耗：I CC =1μA（Max），TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差（OVT）输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源
78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器，不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨，V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V，而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低，更高或相等值的电压逻辑信号，反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用，例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围：1.65V至5.5V 宽VL工作范围：1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速，24 Mb / s保证数据速率 *大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C，SMBus，PMBus 低压ASIC级别转换 手机，PDA，相机 电路图、引脚图和封装图...
NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器
01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器，不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨，VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样，VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低，更高的等值电压逻辑信号，反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用，如I2C通信总线。 特性 VL可以小于，大于或等于VCC 宽VCC工作范围：1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围：1.5 V至5.5 V 高速，24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差（OVT）以使能输入和I / O引脚是过压容差（OVT）至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C，SMBus，PMBus 低压ASIC级别转换 手机，相机，消费品 电路图、引脚图和封装图...
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态
125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器，占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入（）设置为高，以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容，输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何，当施加高达7.0伏的电压时，NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速：t PD = 3.8 ns（典型值）V CC = 5.0 V 低功耗：I CC =1μA（Max），TA = 25°C TTL兼容输入：V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷（SPDT）模拟开关
是高性能的单刀双掷（SPDT）模拟开关，用于由低电压（1.8V）基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω（*大值）的超低R ON ，可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接，CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚（Sel）上提供1.8V（典型值）信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
NXH240B120H3Q1 功率集成模块（PIM）3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管
B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT，一个20 A SiC二极管，一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管
120H2Q0SG是一款功率集成模块（PIM），包含一个双升压级，由两个40A / 1200V IGBT，两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格：VCE（SAT）= 2.2 V，ESW = 2180 uJ 具有低VCE（SAT）的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管，在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格：VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管
B120H3Q0是一款功率集成模块（PIM），包含一个双升压级，由两个50A / 1200V IGBT，两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格：VCE（SAT）= 1.77 V，ESW = 2200 uJ 具有低VCE（SAT）的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管，在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格：VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块
一种快速，可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应
低压差（LDO）线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制，短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应（
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装
4是一款30A POL，适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构，可提供超快的负载瞬变，从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比，新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6％准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V *高可达20A
3是一款20A降压转换器（内置MOSFET），工作电压范围为3V至21V，无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率，可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装，高效电压模式同步降压转换器，工作电压为3 V至21 V，输出电压低至0.6 V，*高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V，5V和12V母线MHz开关频率 用户可选择的选项，允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除，则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
NCP3231A 高电流同步降压转换器
1A是一款高电流，高效率电压模式同步降压转换器，工作电压为4.5 V至18 V，输出电压低至0.6 V，*高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC，FPGA，DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器
1B是一款高电流，高效率电压模式同步降压转换器，工作电压为4.5 V至18 V，输出电压低至0.6 V，*高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC，FPGA，DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
NCP3231 高电流同步降压转换器
1是一款高电流，高效率电压模式同步降压转换器，工作电压为4.5 V至18 V，输出电压低至0.6 V，*高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC，FPGA，DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET
2是一款低输入电压，6 A同步降压转换器，集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括：高性能电压误差放大器，欠压锁定电路，防止启动直到输入电压达到3 V，内部或外部可编程软启动电路，以限制浪涌电流，以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ，12 A峰值MOSFET开关，可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V，准确度为1.0％ 宽PWM频率：固定350 kHz，550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压，高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.
C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装，可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序，输出电压 设计灵活性 过压，欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics，fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器
5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器，设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80％以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制，输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率，选择DCM / CCM工作模式，以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作，以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA，ASIC，DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
关于本站欢迎投稿用户建议版权申明友情链接联系我们网站地图
版权所有 © 深圳华秋电子有限公司电子发烧友
电信与信息服务业务经营许可证：粤B2-20160233
产业招商/厂房土地租售：400 0123 021
或微信/手机：13524678515; 13564686846; 13391219793
请说明您的需求、用途、税收、公司、联系人、手机号，以便快速帮您对接资源。
长按/扫一扫加葛毅明的微信号
扫一扫关注公众号
